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分立半导体
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AUIRFS4310Z

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET 100V 127A 6mOhm Automotive MOSFET
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数量单价合计
1
¥28.3517
28.3517
10
¥24.1255
241.255
100
¥20.905
2090.5
250
¥19.8202
4955.05
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
127 A
Rds On-漏源导通电阻
4.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
170 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Tube
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
Automotive MOSFET
宽度
6.22 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
150 S
下降时间
57 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
60 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
55 ns
典型接通延迟时间
20 ns
零件号别名
SP001519756
单位重量
4 g
商品其它信息
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BAS28E6433HTMA1
Infineon Technologies
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 Silicon Switch Diode FOR HI-SPEED
1:¥2.9945
10:¥1.9662
100:¥0.84524
1,000:¥0.64523
10,000:¥0.43844
20,000:查看
参考库存:25714
BC848CWH6327XTSA1
Infineon Technologies
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR
1:¥1.7628
10:¥1.2317
100:¥0.51528
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:25717
JANS1N4477US
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
1:¥1,233.8922
5:¥1,193.6303
10:¥1,153.2102
25:¥1,112.8692
参考库存:25720
TT330N14KOF
Infineon Technologies
分立半导体
分立半导体模块 1400V 520A DUAL
1:¥1,220.2983
5:¥1,190.9409
10:¥1,161.3575
25:¥1,145.142
参考库存:25723
JAN1N5554
Microsemi
分立半导体
整流器 Std Rectifier
1:¥101.6548
10:¥91.5187
25:¥83.3714
100:¥75.2241
参考库存:25726
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