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分立半导体
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IFN411

  • InterFET
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  • JFET Dual JFET N-CH -40V 50mA 375mW 3.0mW
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74.7608
10
¥61.3138
613.138
100
¥50.8726
5087.26
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
InterFET
产品种类
JFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-71-6
晶体管极性
N-Channel
配置
Dual
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 40 V
Vgs=0时的漏-源电流
5 mA
Id-连续漏极电流
200 uA
Pd-功率耗散
375 mW
系列
IFN411
封装
Bulk
类型
JFET
商标
InterFET
正向跨导 - 最小值
0.6 mS
闸/源截止电压
- 3.5 V
工厂包装数量
1
零件号别名
U411
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IKA15N65ET6XKSA1
Infineon Technologies
分立半导体
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