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分立半导体
SI3459BDV-T1-GE3参考图片

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SI3459BDV-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -60V Vds 20V Vgs TSOP-6
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库存:19,203(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.3732
6.3732
10
¥5.1528
51.528
100
¥3.9098
390.98
500
¥3.2318
1615.9
1,000
¥2.5764
2576.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOP-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
2.9 A
Rds On-漏源导通电阻
216 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
7.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.3 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.05 mm
系列
SI3
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.65 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
4 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18 ns
典型接通延迟时间
5 ns
零件号别名
SI3459BDV-GE3
单位重量
20 mg
商品其它信息
优势价格,SI3459BDV-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
SCR模块 1600 Volt 90 Amp
15:¥806.0516
30:¥779.1576
60:¥768.4791
105:¥725.5278
参考库存:24861
分立半导体
桥式整流器 6A,800V,SINGLE INLINE BRIDGE
2,400:¥8.2942
3,600:¥7.7631
6,000:¥7.4354
10,800:¥7.1529
参考库存:24864
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
4,000:¥5.0059
8,000:¥4.8251
参考库存:24867
分立半导体
桥式整流器 1.0 Amp 150 Volt
5,000:¥2.9493
10,000:¥2.8363
25,000:¥2.7459
参考库存:24870
分立半导体
稳压二极管 Zener Diode DO214-HE3
7,500:¥1.4012
15,000:¥1.2995
30,000:¥1.2317
参考库存:24873
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