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分立半导体
SIA533EDJ-T1-GE3参考图片

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SIA533EDJ-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
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数量单价合计
1
¥4.8364
4.8364
10
¥3.7516
37.516
100
¥2.7798
277.98
500
¥2.2939
1146.95
1,000
¥1.7628
1762.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SC70-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
4.5 A
Rds On-漏源导通电阻
34 mOhms, 59 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
10 nC, 13 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
7.8 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.75 mm
长度
2.05 mm
系列
SIA
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
宽度
2.05 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
21 S, 11 S
下降时间
10 ns, 10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns, 15 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns, 25 ns
典型接通延迟时间
10 ns, 15 ns
零件号别名
SIA533EDJ-GE3
单位重量
28 mg
商品其它信息
优势价格，SIA533EDJ-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
APT58M50JCU2
Microsemi
分立半导体
分立半导体模块 Power Module - SiC
100:¥331.5646
250:¥309.507
参考库存:26383
STWA50N65DM2AG
STMicroelectronics
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MOSFET
1:¥54.8615
参考库存:4346
1N6153A
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分立半导体
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250:¥100.4344
500:¥89.4395
1,000:¥86.219
参考库存:26388
SIHP22N65E-GE3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
1:¥35.6515
10:¥29.5834
100:¥24.3628
250:¥23.5944
参考库存:26391
2EZ39DE3/TR12
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
4,000:¥5.0059
8,000:¥4.8251
参考库存:26394
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