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分立半导体
SSM6P15FE(TE85L,F)参考图片

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SSM6P15FE(TE85L,F)

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET LowON Res MOSFET ID=-.1A VDSS=-30V
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库存:34,029(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.6838
3.6838
10
¥2.1357
21.357
100
¥1.01474
101.474
1,000
¥0.77631
776.31
4,000
¥0.64523
2580.92
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ES6-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
100 mA
Rds On-漏源导通电阻
8 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
-
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
150 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.55 mm
长度
1.6 mm
系列
SSM6P15
晶体管类型
2 P-Channel
宽度
1.2 mm
商标
Toshiba
正向跨导 - 最小值
20 mS
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
175 ns
典型接通延迟时间
65 ns
单位重量
3 mg
商品其它信息
优势价格,SSM6P15FE(TE85L,F)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
SCR 200 Volt 22 Amp
1:¥98.197
10:¥89.2926
20:¥82.603
50:¥78.1508
参考库存:2260
分立半导体
MOSFET 250V N-Channel QFET
1:¥5.6048
10:¥4.5991
100:¥2.9719
1,000:¥2.3843
2,500:¥2.0001
参考库存:6889
分立半导体
MOSFET 500V 28A N-Channel
1:¥37.3465
10:¥31.7304
100:¥27.5042
250:¥26.1256
参考库存:2483
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur SW
1:¥4.7686
10:¥4.0002
100:¥2.5086
1,000:¥1.8871
参考库存:6124
分立半导体
MOSFET N-Ch, 620V-2.2ohms 2.7A
1:¥10.1474
10:¥8.6784
100:¥6.6783
500:¥5.8986
参考库存:3797
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