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分立半导体
SI1029X-T1-GE3参考图片

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SI1029X-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 60V Vds 20V Vgs SC89-6 N&P PAIR
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库存:25,188(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.0002
4.0002
10
¥3.0623
30.623
100
¥2.2713
227.13
500
¥1.8645
932.25
3,000
¥1.3108
3932.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-89-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
500 mA
Rds On-漏源导通电阻
1.4 Ohms, 4 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
750 pC, 1700 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
280 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.6 mm
长度
1.66 mm
系列
SI1
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
宽度
1.2 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
200 mS, 100 mS
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns, 35 ns
典型接通延迟时间
15 ns, 20 ns
零件号别名
SI1029X-GE3
单位重量
32 mg
商品其它信息
优势价格,SI1029X-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 2A,150V, SMD SCHOTTKY RECTIFIER
1:¥3.9211
10:¥3.0736
100:¥2.0792
500:¥1.4238
1,800:¥0.95259
3,600:查看
参考库存:18495
分立半导体
桥式整流器 2A, 800V, G.P. IN LINE BRIDGE
1:¥4.8364
10:¥4.4522
100:¥3.4465
500:¥2.5538
参考库存:18498
分立半导体
整流器 Fast Recovery Diode
1:¥18.984
10:¥17.289
100:¥14.9047
500:¥13.2888
参考库存:18501
分立半导体
稳压二极管 ZENER 0.35W 7.5V AEC-Q101
1:¥2.3052
10:¥1.5029
100:¥0.67574
1,000:¥0.43053
3,000:¥0.32318
参考库存:18504
分立半导体
稳压二极管 1.5W, VR=152V
1:¥3.9211
10:¥2.5877
100:¥1.582
1,000:¥1.05316
5,000:¥0.90626
参考库存:18507
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