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分立半导体
SI2305CDS-T1-GE3参考图片

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SI2305CDS-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -8V Vds 8V Vgs SOT-23
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库存:45,395(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.7629
3.7629
10
¥2.5538
25.538
100
¥1.7289
172.89
500
¥1.3786
689.3
1,000
¥1.03734
1037.34
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
8 V
Id-连续漏极电流
5.8 A
Rds On-漏源导通电阻
35 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
30 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.7 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.45 mm
长度
2.9 mm
系列
SI2
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.6 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
17 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
20 ns
零件号别名
SI2305CDS-GE3
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,SI2305CDS-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT
1:¥0.99892
10:¥0.88366
100:¥0.31527
1,000:¥0.20792
10,000:¥0.13786
20,000:查看
参考库存:15768
分立半导体
MOSFET NFET SO8 30V 8A TR 0.020R
1:¥5.537
10:¥4.6443
100:¥2.9945
1,000:¥2.3956
2,500:¥2.034
参考库存:5742
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky Diode
1:¥3.616
10:¥2.5425
100:¥1.1639
1,000:¥0.89948
5,000:¥0.7684
参考库存:15059
分立半导体
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
1:¥3.1527
10:¥2.2487
100:¥1.02943
1,000:¥0.791
3,000:¥0.67574
参考库存:8724
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 100V 200mA
1:¥1.6159
10:¥1.4238
100:¥0.49946
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:32986
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