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分立半导体
RM12N650IP-T参考图片

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RM12N650IP-T

  • Rectron
  • 新批次
  • MOSFET D-PAK MOSFET
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库存:52,003(价格仅供参考)
数量单价合计
2,500
¥4.7234
11808.5
5,000
¥4.3053
21526.5
10,000
¥3.9211
39211
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Rectron
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
11.5 A
Rds On-漏源导通电阻
360 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
19 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
101 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Rectron
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
58 ns
典型接通延迟时间
11 ns
商品其它信息
优势价格,RM12N650IP-T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 ZENER, 200mW 3.3V
1:¥3.5369
10:¥1.9436
100:¥0.92999
1,000:¥0.63732
4,000:¥0.48364
参考库存:5814
分立半导体
肖特基二极管与整流器 200mA 30V
1:¥2.5312
10:¥1.6498
100:¥0.80682
1,000:¥0.46895
3,000:¥0.36838
参考库存:8267
分立半导体
稳压二极管 27 to 30.8V; 10mA 1000mW
1:¥3.3787
10:¥2.7685
100:¥1.6837
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:7190
分立半导体
肖特基二极管与整流器 VR=40V, IO=200mA
1:¥2.3052
10:¥1.4803
100:¥0.66896
1,000:¥0.42262
4,000:¥0.32318
参考库存:11693
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky Barrier Diode
1:¥5.6048
10:¥5.0737
100:¥4.6104
500:¥3.9776
参考库存:4826
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