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分立半导体
STGW80V60F参考图片

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STGW80V60F

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 80 A very high speed
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库存:2,653(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥84.9873
84.9873
10
¥76.7609
767.609
25
¥73.224
1830.6
100
¥63.5512
6355.12
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
120 A
Pd-功率耗散
469 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW80V60F
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
80 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,STGW80V60F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS
1:¥32.4988
10:¥27.5833
100:¥23.9786
250:¥22.7469
500:¥20.3626
参考库存:4708
分立半导体
肖特基二极管与整流器 3A, 60V SMA SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
1:¥3.9211
10:¥2.9493
100:¥1.5933
1,000:¥1.1978
2,500:¥1.03734
7,500:¥0.96841
参考库存:11624
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) MMBT3904/TO-236AB/REEL 11" Q3/
1:¥0.7684
10:¥0.66896
100:¥0.23843
1,000:¥0.16159
10,000:¥0.10735
20,000:查看
参考库存:124374
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky Barrier Diodes
1:¥3.0736
10:¥2.5538
100:¥1.5594
1,000:¥1.2091
3,000:¥1.1752
参考库存:8069
分立半导体
MOSFET NFET SO8FL 100V 104A 7.7M
1:¥37.5725
10:¥31.9677
100:¥27.6624
250:¥26.2838
1,500:¥18.9049
参考库存:6017
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