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分立半导体
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ALD110900PAL

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库存：1,940(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥36.6572
36.6572
10
¥32.7361
327.361
25
¥29.4252
735.63
50
¥28.6568
1432.84
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Linear Devices
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
PDIP-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
10 V
Id-连续漏极电流
12 mA
Rds On-漏源导通电阻
500 Ohms, 500 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
20 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10.6 V
最小工作温度
0 C
最大工作温度
+ 70 C
Pd-功率耗散
500 mW
配置
Dual
通道模式
Depletion
封装
Tube
产品
MOSFET Small Signal
系列
ALD110900P
晶体管类型
2 N-Channel
类型
MOSFET
商标
Advanced Linear Devices
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
1 g
商品其它信息
优势价格，ALD110900PAL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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6,000:¥3.8985
9,000:¥3.8307
24,000:¥3.5369
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