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分立半导体
JANTX2N2605/TR参考图片

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JANTX2N2605/TR

  • Microsemi
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
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数量单价合计
100
¥231.2093
23120.93
250
¥212.1575
53039.375
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
否
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-206AB-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
集电极—基极电压 VCBO
70 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
0.3 V
最大直流电集电极电流
30 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
直流电流增益 hFE 最大值
450 at 500 uA, 5 V
商标
Microchip / Microsemi
直流集电极/Base Gain hfe Min
30 at 10 mA, 5 V
Pd-功率耗散
400 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，JANTX2N2605/TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SISS23DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8S
1:¥6.6896
10:¥5.3675
100:¥4.068
500:¥3.3674
3,000:¥3.3674
参考库存:39370
DMP2104V-7
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET -20V -860mA
1:¥3.2318
10:¥2.5086
100:¥1.356
1,000:¥1.02152
3,000:¥0.87575
9,000:¥0.82264
参考库存:5927
SI7772DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥6.2263
10:¥5.0285
100:¥3.8194
500:¥3.1527
3,000:¥3.1527
参考库存:8313
SPD09P06PL G
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET P-Ch -60V 9.7A DPAK-2
1:¥6.4523
10:¥5.3675
100:¥3.4578
1,000:¥2.7685
2,500:¥2.3391
参考库存:7955
BD136
STMicroelectronics
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Audio Amplfier
1:¥3.6838
10:¥2.8476
100:¥1.5481
1,000:¥1.1639
参考库存:6621
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