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分立半导体
TK90S06N1L,LQ参考图片

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TK90S06N1L,LQ

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET UMOSVIII 60V 3.3m max(VGS=10V) DPAK
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数量单价合计
1
¥15.5262
15.5262
10
¥12.5204
125.204
100
¥9.9892
998.92
500
¥8.7575
4378.75
2,000
¥6.7461
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
90 A
Rds On-漏源导通电阻
5.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
TK90S06N1L
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.5 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，TK90S06N1L,LQ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PN4250A
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UF4005-E3/54
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10:¥2.6103
100:¥1.5255
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11,000:查看
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100:¥1.3786
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5,000:¥0.89948
10,000:¥0.83733
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DN2530N3-G
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1:¥4.6104
10:¥4.5991
25:¥3.8759
100:¥3.5595
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HUF75344G3
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分立半导体
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1:¥21.2892
10:¥18.0574
100:¥15.6731
250:¥14.9047
500:¥13.3679
参考库存:5160
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