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分立半导体
TK55S10N1,LQ参考图片

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TK55S10N1,LQ

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET UMOSVIII 100V 6.5m max(VGS=10V) DPAK
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库存：7,233(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥20.8259
20.8259
10
¥16.7466
167.466
100
¥13.447
1344.7
500
¥11.752
5876
2,000
¥9.0626
18125.2
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
55 A
Rds On-漏源导通电阻
5.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
49 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
100 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
TK55S10N1
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.5 mm
商标
Toshiba
下降时间
19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
51 ns
典型接通延迟时间
11 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，TK55S10N1,LQ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UMB3NFHATN
ROHM Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP+PNP SOT-363 4.7kO Input Resist
1:¥2.6894
10:¥1.7967
100:¥0.75258
1,000:¥0.51528
3,000:¥0.40002
参考库存:6068
IPW60R125P6XKSA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM
1:¥33.2672
10:¥28.2726
100:¥24.5097
250:¥23.278
参考库存:3314
APT75DQ100BG
Microsemi
分立半导体
整流器 Fast Recovery Epitaxial Diode - DQ
1:¥41.7196
10:¥33.5045
25:¥32.883
100:¥30.51
参考库存:3202
IPP037N08N3GXKSA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 80V 100A TO220-3
1:¥18.0574
10:¥15.368
100:¥12.2944
500:¥10.7576
1,000:¥8.9157
参考库存:3655
AUIRF3805L
Infineon / IR
分立半导体
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms
1:¥30.8942
10:¥26.2047
100:¥22.7469
250:¥21.5943
参考库存:3166
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