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分立半导体
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TN2106N3-G

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库存：8,022(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.9211
3.9211
10
¥3.8985
38.985
25
¥3.2431
81.0775
100
¥2.9267
292.67
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
300 mA
Rds On-漏源导通电阻
2.5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
600 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
740 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Bulk
高度
5.33 mm
长度
5.21 mm
产品
MOSFET Small Signal
晶体管类型
1 N-Channel
类型
FET
宽度
4.19 mm
商标
Microchip Technology
正向跨导 - 最小值
150 mS
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
6 ns
典型接通延迟时间
3 ns
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格，TN2106N3-G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CMHZ4715 TR
Central Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 500mW 5% Tolerance
12,000:¥0.5989
24,000:¥0.56048
45,000:¥0.50737
99,000:¥0.48364
参考库存:39817
SFF2008GHC0
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 20A, 600V, 35NS, DUAL RECTIFIER ISOLATED
2,000:¥3.8194
4,000:¥3.729
10,000:¥3.4239
24,000:¥3.2883
参考库存:37465
BZY55B2V7 RYG
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener 500mW 2% 2v7
30,000:¥0.2147
45,000:¥0.20001
100,000:¥0.17628
参考库存:37468
MBR60030CT
GeneSiC Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 600A 30P/21R
25:¥725.8329
50:¥710.9282
100:¥685.2546
参考库存:37471
BZY55B7V5 RYG
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener 500mW 2% 7v5
30,000:¥0.2147
45,000:¥0.20001
100,000:¥0.17628
参考库存:37474
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