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分立半导体
D3S099N65B-U参考图片

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D3S099N65B-U

  • D3
  • 新批次
  • MOSFET 99 mOhm 650V Superjunction Power MOSFET in TO-220
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库存：5,281(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥29.5043
29.5043
10
¥23.6622
236.622
100
¥21.5943
2159.43
250
¥19.436
4859
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
D3 Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
35.5 A
Rds On-漏源导通电阻
90 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
62.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
281 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
D3
下降时间
63 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
61 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
81 ns
典型接通延迟时间
41 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格，D3S099N65B-U的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VS-20MQ040-M3/5AT
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 2A 40V Single Die Schottky Rectifier
1:¥3.3787
10:¥1.9775
100:¥1.1526
500:¥0.9379
7,500:¥0.54579
22,500:查看
参考库存:27172
DMN30H4D0LFDE-13
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 300Vds 20Vgs FET
10,000:¥0.7458
参考库存:27175
BZT52B36-E3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 36 Volt 0.5W 2%
1:¥2.5312
10:¥1.6498
100:¥0.80682
500:¥0.68365
10,000:¥0.30736
20,000:查看
参考库存:27178
BZB784-C9V1,115
Nexperia
分立半导体
稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT
1:¥2.4634
10:¥1.695
100:¥0.70738
1,000:¥0.48364
3,000:¥0.37629
参考库存:14041
BZX384B2V7-G3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 2.7 Volt 0.2W 2%
1:¥2.6103
10:¥1.7628
100:¥0.86106
500:¥0.73789
10,000:¥0.32318
20,000:查看
参考库存:27183
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