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分立半导体
SI3424CDV-T1-GE3参考图片

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SI3424CDV-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 30V Vds 20V Vgs TSOP-6
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库存:17,227(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.4522
4.4522
10
¥2.9945
29.945
100
¥2.034
203.4
500
¥1.6272
813.6
1,000
¥1.2204
1220.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOP-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
26 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
8.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.6 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SI3
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
17 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16 ns
典型接通延迟时间
3 ns
单位重量
20 mg
商品其它信息
优势价格,SI3424CDV-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT05MS003N/SIL3///REEL 7 Q2 NDP
1:¥24.2837
10:¥22.2836
25:¥20.2835
100:¥18.2156
1,000:¥13.673
2,000:查看
参考库存:15747
分立半导体
肖特基二极管与整流器 10Amp 150V Ultra-Low VFschottky rectifier
1:¥5.2206
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
5,000:¥2.2148
参考库存:65467
分立半导体
整流器 If 1.6-2A Vrrm 800V Ifsm 50A DO-214AC
1:¥3.2996
10:¥1.8306
100:¥0.9831
500:¥0.78422
7,500:¥0.4068
22,500:查看
参考库存:52607
分立半导体
MOSFET -40V 75A 83W AEC-Q101 Qualified
1:¥13.8312
10:¥12.2944
100:¥9.7632
500:¥7.6049
3,000:¥5.65
6,000:查看
参考库存:22075
分立半导体
MOSFET KTT pkg spin from CSD18535KCS
1:¥22.2045
10:¥19.9784
100:¥16.3624
250:¥15.368
500:¥13.9103
参考库存:3741
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