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分立半导体
SSM3J332R,LF参考图片

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SSM3J332R,LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET SM Sig P-CH MOS 12V VGSS -6A -30VDSS
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数量单价合计
1
¥4.0002
4.0002
10
¥2.2261
22.261
100
¥0.95259
95.259
1,000
¥0.72998
729.98
3,000
¥0.5537
1661.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23F-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
144 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
500 mV
Vgs - 栅极-源极电压
1.8 V
Qg-栅极电荷
8.2 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.9 mm
长度
2.9 mm
系列
SSM3J332
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Toshiba
正向跨导 - 最小值
5.7 S
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
75 ns
典型接通延迟时间
15 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，SSM3J332R,LF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMN10H170SFDE-13
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.9A 0.66W
10,000:¥1.2317
参考库存:32798
SML4738AHE3/61
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 Zener Diode DO214-HE3
1:¥4.6104
10:¥3.4691
100:¥2.5764
500:¥2.1244
参考库存:32801
FESB8DTHE3/45
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 8.0A 200 Volt 35ns 125 Amp IFSM
1:¥11.30
10:¥9.2999
100:¥7.1868
500:¥6.1811
参考库存:32804
DMT3006LFV-7
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥4.9946
10:¥4.1471
100:¥2.6781
1,000:¥2.147
参考库存:4161
SMZJ3801B-E3/52
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 33 Volt 1.5W 5%
1:¥3.5369
10:¥2.373
100:¥1.6046
500:¥1.2882
750:¥0.96841
2,250:¥0.89157
参考库存:32809
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