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分立半导体
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FDA50N50

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数量单价合计
1
¥43.3355
43.3355
10
¥36.8041
368.041
100
¥31.8886
3188.86
250
¥30.2727
7568.175
500
¥27.1991
13599.55
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3PN-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
48 A
Rds On-漏源导通电阻
105 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
625 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
20.1 mm
长度
16.2 mm
系列
FDA50N50
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
230 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
360 ns
工厂包装数量
450
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
225 ns
典型接通延迟时间
105 ns
单位重量
6.401 g
商品其它信息
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