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分立半导体
SSM3J328R,LF参考图片

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SSM3J328R,LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch Sm Sig FET Id -6A -20V -8VGSS
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数量单价合计
1
¥3.616
3.616
10
¥2.0905
20.905
100
¥0.99101
99.101
1,000
¥0.76049
760.49
3,000
¥0.63054
1891.62
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23F-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
88.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
300 mV
Vgs - 栅极-源极电压
1.5 V
Qg-栅极电荷
12.8 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.9 mm
长度
2.9 mm
系列
SSM3J328
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Toshiba
正向跨导 - 最小值
4.5 S
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
107 ns
典型接通延迟时间
32 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,SSM3J328R,LF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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100:¥221.6834
250:¥203.40
参考库存:53524
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250:¥47.4148
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100:¥632.235
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100:¥38.1149
300:¥34.352
500:¥30.6569
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参考库存:53533
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7,000:¥0.44522
10,000:¥0.36838
参考库存:53536
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