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分立半导体
TN0604N3-G参考图片

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TN0604N3-G

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库存:4,678(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.684
7.684
10
¥7.6388
76.388
25
¥6.328
158.2
100
¥5.7743
577.43
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
700 mA
Rds On-漏源导通电阻
750 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
600 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
740 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Bulk
高度
5.33 mm
长度
5.21 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
FET
宽度
4.19 mm
商标
Microchip Technology
正向跨导 - 最小值
500 mS
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格,TN0604N3-G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
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100:¥0.34578
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1:¥3.1527
10:¥2.147
100:¥0.92208
1,000:¥0.61472
3,000:¥0.53788
参考库存:5824
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