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分立半导体
SSM6J50TU(TE85L,F)参考图片

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SSM6J50TU(TE85L,F)

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET Vds=-20V Id=-2.5A 6Pin
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
UF-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
2.5 A
Rds On-漏源导通电阻
49 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
高度
0.7 mm
长度
2 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
SSM6J50
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.7 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
单位重量
36 mg
商品其它信息
优势价格，SSM6J50TU(TE85L,F)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMBZ4626-HE3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 5.6 Volt 0.225W 5% AUTO
1:¥2.0001
10:¥1.356
100:¥0.66105
500:¥0.56048
3,000:¥0.33787
6,000:查看
参考库存:52458
MMBZ5258B-E3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 36 Volt 0.225W 5%
1:¥1.8419
10:¥1.5933
100:¥0.67574
500:¥0.56048
10,000:¥0.24634
20,000:查看
参考库存:52461
MMBZ5250C-HE3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 20 Volt 0.225W 2% AUTO
1:¥2.0001
10:¥1.356
100:¥0.66105
500:¥0.56048
3,000:¥0.33787
6,000:查看
参考库存:52464
GDZ36B-HE3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 36 Volt 0.2 Watt 2% AUTO
1:¥2.3052
10:¥1.5029
100:¥0.73789
500:¥0.63054
10,000:¥0.27685
20,000:查看
参考库存:52467
BAV5004WSQ-7
Diodes Incorporated
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 HiVolt Switch Diode BVR > 100V
1:¥2.3052
10:¥1.5594
100:¥0.65314
1,000:¥0.44522
3,000:¥0.34578
参考库存:52470
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