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分立半导体
TK49N65W,S1F参考图片

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TK49N65W,S1F

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch Power MOSFET Transistor
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
49.2 A
Rds On-漏源导通电阻
55 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
160 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
400 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
20.95 mm
长度
15.94 mm
系列
TK49N65W
宽度
5.02 mm
商标
Toshiba
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
70 ns
工厂包装数量
30
子类别
MOSFETs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，TK49N65W,S1F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
GDZ3V3B-HE3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 3.3Volt 0.2 Watt 2% AUTO
1:¥2.3052
10:¥1.5029
100:¥0.73789
500:¥0.63054
3,000:¥0.37629
6,000:查看
参考库存:51582
MMSZ5267B-HE3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 75 Volt 0.5W 5% AUTO
1:¥2.3052
10:¥1.5029
100:¥0.73789
500:¥0.63054
3,000:¥0.37629
6,000:查看
参考库存:51585
MMBZ5233C-HE3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 6.0 Volt 0.225W 2% AUTO
1:¥2.0001
10:¥1.356
100:¥0.66105
500:¥0.56048
10,000:¥0.25312
20,000:查看
参考库存:51588
MMBZ5240C-E3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 10 Volt 0.225W 2%
1:¥1.921
10:¥1.2882
100:¥0.63054
500:¥0.53788
3,000:¥0.32318
6,000:查看
参考库存:51591
TLZ22D-GS18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 22 Volt 0.5 Watt IR = 0.04uA
1:¥1.8419
10:¥1.5368
100:¥0.65314
500:¥0.54579
10,000:¥0.23843
20,000:查看
参考库存:51594
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