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ALD212904SAL

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数量单价合计
50
¥26.3516
1317.58
100
¥24.6679
2466.79
250
¥22.2836
5570.9
500
¥19.9784
9989.2
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Linear Devices
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
10 V
Id-连续漏极电流
79 mA
Rds On-漏源导通电阻
14 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10.6 V
最小工作温度
0 C
最大工作温度
+ 70 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
EPAD
封装
Tube
系列
ALD212904S
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Advanced Linear Devices
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
85 mg
商品其它信息
优势价格，ALD212904SAL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ES1LGHR2G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
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15,000:¥0.67574
22,500:¥0.61472
45,000:¥0.54579
97,500:¥0.50737
参考库存:24440
CMR3U-06M BK
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2,000:¥2.9493
10,000:¥2.8363
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15,000:¥0.66105
22,500:¥0.59212
45,000:¥0.52997
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ES1JLWHRVG
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12,000:¥0.5989
24,000:¥0.54579
45,000:¥0.52997
参考库存:24449
SFA804G C0
Taiwan Semiconductor
分立半导体
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2,000:¥2.6894
参考库存:24452
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