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分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	4.7 kOhms
典型电阻器比率	0.47
安装风格	SMD/SMT
直流集电极/Base Gain hfe Min	50
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最小工作温度	- 65 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN1116MFV
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
集电极—基极电压 VCBO	50 V
发射极 - 基极电压 VEBO	7 V
高度	1.2 mm
长度	1.2 mm
工作温度范围	- 65 C to + 150 C
类型	NPN Epitaxial Silicon Transistor
宽度	0.5 mm
商标	Toshiba
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	8000
子类别	Transistors

商品其它信息

优势价格，RN1116MFV(TPL3)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
S2MA F3G	Taiwan Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	整流器 1.5A, 1000V, GLASS PASSIVATED SMA RECTIFIER	1:¥5.763 10:¥5.2206 100:¥3.4126 1,000:¥1.1413 1,800:¥0.94468	参考库存:18221
GBPC3506M T0G	Taiwan Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	桥式整流器 35A, 600V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, FASTON	1:¥27.8206 10:¥24.1255 50:¥19.5151 100:¥16.7466 500:¥14.0572	参考库存:18224
MBR20200CTF-E1	Diodes Incorporated	分立半导体	PDF数据手册	肖特基二极管与整流器 Schottky Diode	暂无价格	参考库存:18227
R5009ANJTL	ROHM Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET TRANS MOSFET NCH 500V 9A 3PIN	1:¥23.6622 10:¥20.0575 100:¥17.4472 250:¥16.5206 1,000:¥12.5204 2,000:查看	参考库存:18230
US6T5TR	ROHM Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR PNP	1:¥3.7629 10:¥3.1075 100:¥1.8984 1,000:¥1.469 3,000:¥1.2543	参考库存:18233