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分立半导体
2SK3176(F)参考图片

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2SK3176(F)

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET N-Ch 200V 30A Rdson 0.052 Ohm
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3PN-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
52 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
150 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
高度
20 mm
长度
15.5 mm
系列
2SK3176
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Toshiba
下降时间
25 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
单位重量
7 g
商品其它信息
优势价格,2SK3176(F)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 VRM=600 IFSM=60
1:¥18.984
10:¥17.289
100:¥14.9047
500:¥13.2888
参考库存:2521
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 DIODE ARRAY 80V 250MA SOT363
3,000:¥0.9379
6,000:¥0.87575
9,000:¥0.82264
24,000:¥0.75258
参考库存:50753
分立半导体
整流器 DIODE GEN PURP 200V 1A DO41
1:¥1.4577
10:¥1.1978
100:¥0.46104
1,000:¥0.29154
5,000:¥0.2147
参考库存:12247
分立半导体
肖特基二极管与整流器 3A,40V, SMD SCHOTTKY RECTIFIER
1:¥3.5369
10:¥2.7685
100:¥1.9097
500:¥1.3108
1,800:¥0.87575
3,600:查看
参考库存:3672
分立半导体
MOSFET 800V N-Ch LR FET 12A 30Vgs 12A 7.6nC
1:¥26.3516
10:¥23.5944
100:¥21.4361
250:¥19.3682
500:¥15.6731
参考库存:2278
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