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分立半导体
TK16C60W,S1VQ参考图片

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TK16C60W,S1VQ

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 130W 1350pF 15.8A
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
15.8 A
Rds On-漏源导通电阻
160 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
38 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
130 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
DTMOSIV
高度
10.4 mm
长度
10 mm
系列
TK16C60W
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Toshiba
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
100 ns
典型接通延迟时间
50 ns
单位重量
2.387 g
商品其它信息
优势价格，TK16C60W,S1VQ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BTA204W-600D,135
WeEn Semiconductors
分立半导体
双向可控硅 TAPE13 3Q TRIAC
1:¥5.0737
10:¥4.0228
100:¥2.5312
1,000:¥1.8984
4,000:¥1.6159
参考库存:19964
BUK7E3R1-40E,127
Nexperia
分立半导体
MOSFET N-channel TrenchMOS standard level FET
1:¥13.9103
10:¥11.8311
100:¥9.4468
500:¥8.2942
参考库存:19967
DDZ6V8CQ-7
Diodes Incorporated
分立半导体
稳压二极管 Tight Tolerance Zen
3,000:¥0.32318
9,000:¥0.27685
24,000:¥0.26103
45,000:¥0.24634
参考库存:19970
BLW85
Advanced Semiconductor, Inc.
分立半导体
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥553.248
10:¥461.04
25:¥414.936
50:¥368.832
参考库存:19973
DDZ9712T-7
Diodes Incorporated
分立半导体
稳压二极管 150MW 28V
3,000:¥0.5537
9,000:¥0.49155
24,000:¥0.46104
参考库存:19976
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