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分立半导体
TK35E10K3(S1SS-Q)参考图片

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TK35E10K3(S1SS-Q)

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参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
35 A
Rds On-漏源导通电阻
12.2 mOhms
Pd-功率耗散
72 W
配置
Single
高度
15.1 mm
长度
10.16 mm
系列
TK35E10K3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.45 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,TK35E10K3(S1SS-Q)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
105:¥67.9243
250:¥62.0144
500:¥56.5565
1,000:¥47.8668
参考库存:26105
分立半导体
稳压二极管
1:¥132.7072
10:¥120.6388
25:¥111.5762
50:¥105.4968
参考库存:26108
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
323:¥21.9785
500:¥19.5942
1,000:¥16.5997
2,500:¥15.7522
参考库存:26111
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
268:¥29.2783
500:¥26.2838
1,000:¥22.1254
2,500:¥21.0519
参考库存:26114
分立半导体
MOSFET MOSFET
1:¥8.2942
10:¥7.345
25:¥6.6444
100:¥5.8082
5,000:¥3.1527
参考库存:26117
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