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分立半导体
TK28A65W,S5X参考图片

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TK28A65W,S5X

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET Power MOSFET N-Channel
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库存：4,765(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥38.7251
38.7251
10
¥31.1202
311.202
100
¥28.4308
2843.08
250
¥25.6623
6415.575
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
27.6 A
Rds On-漏源导通电阻
94 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
75 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
45 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15 mm
长度
10 mm
系列
TK28A65W
宽度
4.5 mm
商标
Toshiba
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
130 ns
典型接通延迟时间
60 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，TK28A65W,S5X的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NTB082N65S3F
ON Semiconductor
分立半导体
MOSFET SUPERFET3 650V D2PAK PKG
1:¥36.4199
10:¥30.962
100:¥26.8149
250:¥25.4363
500:¥22.826
800:¥22.826
参考库存:3557
QJ6016RH4TP
Littelfuse
分立半导体
双向可控硅 60V 16A 35mA HI TEMP TO-220AB Non-Isolate
1:¥23.5153
10:¥18.9049
100:¥17.2099
250:¥15.594
500:¥13.9894
参考库存:4014
IPL60R065P7AUMA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥54.0931
10:¥48.8725
25:¥46.6464
100:¥40.4992
3,000:¥29.5834
参考库存:4731
A1P25S12M3
STMicroelectronics
分立半导体
IGBT 模块 PTD HIGH VOLTAGE
1:¥281.7768
5:¥278.8501
10:¥259.8774
25:¥248.2723
参考库存:3455
SJ6016LTP
Littelfuse
分立半导体
SCR 16A High Temp Thyristor
1:¥15.6731
10:¥12.6786
100:¥10.1474
500:¥8.8366
1,000:¥7.3224
参考库存:3984
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