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分立半导体
SSM3K16CTC,L3F参考图片

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SSM3K16CTC,L3F

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET LowON Res MOSFET ID=.2A VDSS=20V
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10
¥1.6385
16.385
100
¥0.68365
68.365
1,000
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468.95
10,000
¥0.30736
3073.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
CST-3C
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
200 mA
Rds On-漏源导通电阻
1.6 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
350 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Toshiba
正向跨导 - 最小值
0.28 S
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18 ns
典型接通延迟时间
36 ns
单位重量
0.550 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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