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分立半导体
SSM3K376R,LF参考图片

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SSM3K376R,LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V
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数量单价合计
1
¥3.7629
3.7629
10
¥2.1018
21.018
100
¥0.90626
90.626
1,000
¥0.69947
699.47
3,000
¥0.52997
1589.91
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23F-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
4 A
Rds On-漏源导通电阻
56 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V, - 8 V
Qg-栅极电荷
2.2 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
SSM3K376R
商标
Toshiba
正向跨导 - 最小值
10.5 S
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
9.5 ns
典型接通延迟时间
9 ns
单位重量
11 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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24,000:查看
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