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分立半导体
PD84008L-E参考图片

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PD84008L-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
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数量单价合计
1
¥73.3031
73.3031
10
¥66.3084
663.084
25
¥63.2348
1580.87
100
¥54.8615
5486.15
3,000
¥40.115
120345
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
7 A
Vds-漏源极击穿电压
25 V
增益
13 dB
输出功率
8 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT (5x5)
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
高度
0.88 mm
长度
5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD84008L-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
5 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
26.7 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格,PD84008L-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30A,60V,DUAL SCHOTTKY RECTIFIER
900:¥9.831
1,800:¥7.7631
2,700:¥7.1981
5,400:¥6.8591
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20,000:¥0.41471
24,000:¥0.39211
48,000:¥0.34578
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1,200:¥6.0229
3,600:¥5.2432
6,000:¥5.0511
10,800:¥4.859
参考库存:26818
分立半导体
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10,000:¥0.88366
参考库存:26821
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2,000:¥3.4239
4,000:¥3.3448
10,000:¥3.0623
24,000:¥2.9493
参考库存:26824
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