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分立半导体
TPH2R306NH,L1Q参考图片

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TPH2R306NH,L1Q

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET U-MOSVIII-H 60V 130A 72nC MOSFET
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数量单价合计
1
¥21.7412
21.7412
10
¥17.515
175.15
100
¥13.9894
1398.94
500
¥12.2944
6147.2
5,000
¥9.1417
45708.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOP-Advance-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
130 A
Rds On-漏源导通电阻
1.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
72 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
78 W
配置
Single
商标名
UMOSVIII
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.95 mm
长度
5 mm
系列
TPH2R306NH
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Toshiba
下降时间
16 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9.9 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50 ns
典型接通延迟时间
29 ns
单位重量
851 mg
商品其它信息
优势价格,TPH2R306NH,L1Q的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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500:¥10.7576
1,000:¥8.9157
2,500:¥8.2264
参考库存:35636
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