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分立半导体
SSM6N35FE,LM参考图片

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SSM6N35FE,LM

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET Small Signal MOSFET
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库存:15,539(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥1.9436
19.436
100
¥0.83733
83.733
1,000
¥0.63732
637.32
4,000
¥0.48364
1934.56
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ES6-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
180 mA
Rds On-漏源导通电阻
20 Ohms, 20 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
150 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.55 mm
长度
1.6 mm
系列
SSM6N35
宽度
1.2 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
单位重量
8.200 mg
商品其它信息
优势价格,SSM6N35FE,LM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 DIODE SW TAPE-7
1:¥2.9945
10:¥1.9323
100:¥0.82942
1,000:¥0.63732
10,000:¥0.43053
20,000:查看
参考库存:49679
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP VCEO -140V 70-W DC -10A 100W
1:¥13.1419
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥7.2207
参考库存:3293
分立半导体
MOSFET 60V P-Ch PowerTrench
1:¥5.3788
10:¥4.5313
100:¥2.9154
1,000:¥2.3391
2,500:¥2.3391
参考库存:22017
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) . .
1:¥33.9678
10:¥30.2727
100:¥27.5833
250:¥24.8939
参考库存:1711
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN AMPL/SWITCH Small Signal
1:¥43.6406
10:¥43.2564
25:¥39.4144
100:¥35.5724
参考库存:1395
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