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分立半导体
SSM6N35FE,LM参考图片

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SSM6N35FE,LM

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET Small Signal MOSFET
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数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥1.9436
19.436
100
¥0.83733
83.733
1,000
¥0.63732
637.32
4,000
¥0.48364
1934.56
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ES6-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
180 mA
Rds On-漏源导通电阻
20 Ohms, 20 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
150 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.55 mm
长度
1.6 mm
系列
SSM6N35
宽度
1.2 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
单位重量
8.200 mg
商品其它信息
优势价格，SSM6N35FE,LM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BTA312B-600C,118
WeEn Semiconductors
分立半导体
双向可控硅 Thyristor TRIAC 600V 105A 3-Pin (2+Tab)
1:¥8.2942
10:¥6.78
100:¥5.2093
500:¥4.5991
800:¥3.6386
参考库存:40506
Q4015N5RP
Littelfuse
分立半导体
双向可控硅 400V 15A 50-50-50mA
1:¥19.5942
10:¥15.8313
100:¥12.5995
500:¥10.8367
1,000:¥8.9948
参考库存:40509
S6004DS1RP
Littelfuse
分立半导体
SCR 4A 50uA 600V Sensing
1:¥10.5994
10:¥8.5315
100:¥6.5766
500:¥5.8082
1,000:¥4.5878
2,500:¥4.5878
参考库存:7351
CD214C-FS3D
Bourns
分立半导体
肖特基二极管与整流器 200V 3A
1:¥4.5313
10:¥3.3335
100:¥2.4747
500:¥2.1018
3,000:¥1.3334
9,000:查看
参考库存:40514
SK8603170L
Panasonic
分立半导体
MOSFET 30V N-ch Power MOSFET 6.15x5.1mm
3,000:¥3.5934
参考库存:40517
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