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分立半导体
TPH1400ANH,L1Q参考图片

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TPH1400ANH,L1Q

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 60V 42A 48W UMOSVIII 1440pF 22nC
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数量单价合计
1
¥10.5316
10.5316
10
¥8.4524
84.524
100
¥6.4523
645.23
500
¥5.7065
2853.25
5,000
¥3.9889
19944.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOP-Advance-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
42 A
Rds On-漏源导通电阻
11.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
22 nC
Pd-功率耗散
48 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.95 mm
长度
5 mm
系列
TPH1400ANH
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Toshiba
下降时间
6.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.6 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22 ns
典型接通延迟时间
17 ns
单位重量
851 mg
商品其它信息
优势价格，TPH1400ANH,L1Q的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FS30R06XL4
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 模块 IGBT MODULE
20:¥376.29
40:¥360.5378
100:¥326.7282
260:¥315.4282
参考库存:32805
RB160L-60TE25
ROHM Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY 60V 1A
1,500:¥0.89948
9,000:¥0.83733
24,000:¥0.7684
49,500:¥0.73789
99,000:¥0.72207
参考库存:32808
BZX84C4V7
Rectron
分立半导体
稳压二极管 4.7V SOT23 300mW Zen er
15,000:¥0.29945
24,000:¥0.29154
参考库存:32811
BZT52C6V2S
Rectron
分立半导体
稳压二极管 6.2 V 200 mW SOD-323 5% Zener
33,000:¥0.12317
参考库存:32814
KDZTR4.7B
ROHM Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 4.7 to 5.2V; 40mA 1000mW
3,000:¥1.2769
参考库存:32817
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