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分立半导体
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PD55003L-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER transistor LDMOST family N-Chan
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数量单价合计
1
¥70.3086
70.3086
10
¥63.2348
632.348
25
¥57.63
1440.75
50
¥53.7089
2685.445
3,000
¥34.7362
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.5 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
17 dB
输出功率
3 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT (5x5)
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1 GHz
系列
PD55003L-E
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
14 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
单位重量
3 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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