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分立半导体
SSM6J212FE,LF参考图片

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SSM6J212FE,LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch U-MOS VI FET ID -4A -20VDSS 500mW
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3.7629
10
¥2.7798
27.798
100
¥1.7515
175.15
1,000
¥1.3108
1310.8
4,000
¥1.11418
4456.72
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ES6-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
4 A
Rds On-漏源导通电阻
94 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
14.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.55 mm
长度
1.6 mm
系列
SSM6J212
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.2 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
单位重量
36 mg
商品其它信息
优势价格，SSM6J212FE,LF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HS1DHF3
Taiwan Semiconductor
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10:¥4.9155
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DTB743ZETL
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1:¥2.9154
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K1V38(W)-7000
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10:¥15.8313
100:¥13.673
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US1BHF3
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 1A,100V, ULTRAFAST SMD RECTIFIER
1:¥5.4579
10:¥4.9155
100:¥3.2318
1,000:¥1.07576
1,800:¥0.89157
参考库存:21255
SF67GHR0G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 6A, 500V, 35NS, SUPER FAST RECTIFIER
1:¥5.6048
10:¥5.1528
100:¥3.9663
500:¥2.938
1,250:¥2.1696
参考库存:21258
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