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分立半导体
SSM6J212FE,LF参考图片

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SSM6J212FE,LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch U-MOS VI FET ID -4A -20VDSS 500mW
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数量单价合计
1
¥3.7629
3.7629
10
¥2.7798
27.798
100
¥1.7515
175.15
1,000
¥1.3108
1310.8
4,000
¥1.11418
4456.72
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ES6-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
4 A
Rds On-漏源导通电阻
94 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
14.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.55 mm
长度
1.6 mm
系列
SSM6J212
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.2 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
单位重量
36 mg
商品其它信息
优势价格，SSM6J212FE,LF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN1N3043D-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥146.3011
200:¥134.244
500:¥127.7804
参考库存:32075
JANTXV1N4618C-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥107.7342
134:¥107.7342
200:¥98.197
500:¥91.9029
1,000:¥84.298
参考库存:32078
JANTX2N3500L/TR
Microsemi
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥141.0805
250:¥129.4754
500:¥123.2491
参考库存:32081
JAN1N3018BUR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥118.7178
200:¥108.2653
500:¥101.2706
参考库存:32084
3EZ7.5D/TR8
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
1,500:¥5.8195
4,500:¥5.6048
9,000:¥5.3788
参考库存:32087
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