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分立半导体
EMZ51T2R参考图片

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EMZ51T2R

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP+NPN Driver Transistor
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库存：10,166(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.0736
3.0736
10
¥1.9775
19.775
100
¥0.85315
85.315
1,000
¥0.65314
653.14
8,000
¥0.43844
3507.52
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-563-6
晶体管极性
NPN, PNP
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
20 V
集电极—基极电压 VCBO
20 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
120 mV
最大直流电集电极电流
200 mA, - 200 mA
增益带宽产品fT
400 MHz, 350 MHz
最大工作温度
+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值
560
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ROHM Semiconductor
集电极连续电流
200 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
Pd-功率耗散
150 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
8000
子类别
Transistors
零件号别名
EMZ51
单位重量
3 mg
商品其它信息
优势价格，EMZ51T2R的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RJH1CM7DPQ-E0#T2
Renesas Electronics
分立半导体
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥53.788
10:¥47.9459
25:¥43.1886
50:¥41.2676
参考库存:23719
MG1275W-XN2MM
Littelfuse
分立半导体
IGBT 模块 1200V 75A IGBT
60:¥901.1072
参考库存:23722
JAN1N6642UB
Microsemi
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 Switching
100:¥176.8902
250:¥162.3584
500:¥154.5275
参考库存:23725
RJH60F6DPQ-A0#T0
Renesas Electronics
分立半导体
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥46.9515
10:¥41.8778
25:¥37.7307
50:¥36.0357
参考库存:23728
MG12400D-BN2MM
Littelfuse
分立半导体
IGBT 模块 1200V 400A Dual
60:¥1,287.9175
参考库存:23731
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