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分立半导体
SSM6N67NU,LF参考图片

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SSM6N67NU,LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V
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库存:5,078(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.2262
4.2262
10
¥2.7685
27.685
100
¥1.5481
154.81
1,000
¥1.12209
1122.09
3,000
¥0.96841
2905.23
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
UDFN-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
4 A
Rds On-漏源导通电阻
39.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V, - 8 V
Qg-栅极电荷
3.2 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
SSM6N67NU
商标
Toshiba
正向跨导 - 最小值
6 S
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
17 ns
典型接通延迟时间
26 ns
单位重量
8.500 mg
商品其它信息
优势价格,SSM6N67NU,LF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 150MW 22K 47K
1:¥2.6103
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:5887
分立半导体
稳压二极管 1.5watt 9.1volt
1:¥3.842
10:¥2.8928
100:¥2.147
500:¥1.7628
3,000:¥1.243
6,000:查看
参考库存:5889
分立半导体
稳压二极管 3.0Volt 0.2 Watt 2%
1:¥2.0792
10:¥1.4238
100:¥0.69947
500:¥0.5989
3,000:¥0.35369
6,000:查看
参考库存:12866
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky Rectifier
1:¥2.8476
10:¥2.147
100:¥1.1639
1,000:¥0.87575
3,000:¥0.75258
9,000:¥0.70738
参考库存:5893
分立半导体
JFET JFET P-Channel -30V 50mA 360mW 2.8mW
1:¥27.5042
10:¥22.1254
100:¥18.1365
500:¥16.2946
参考库存:3479
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