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分立半导体
SSM6K211FE,LF参考图片

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SSM6K211FE,LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET Small-Signal MOSFET
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库存:10,049(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.6104
4.6104
10
¥3.0397
30.397
100
¥1.695
169.5
1,000
¥1.2317
1231.7
4,000
¥1.05994
4239.76
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ES6-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
3.2 A
Rds On-漏源导通电阻
118 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
350 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
10.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.55 mm
长度
1.6 mm
系列
SSM6K
宽度
1.2 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
单位重量
8.200 mg
商品其它信息
优势价格,SSM6K211FE,LF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 1.5V DRVE PCH MOSFET
1:¥3.616
10:¥2.9719
100:¥1.808
1,000:¥1.4012
3,000:¥1.1978
参考库存:9720
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30V 1A
1:¥3.5369
10:¥2.3165
100:¥1.2882
1,000:¥0.96841
3,000:¥0.80682
参考库存:8360
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
1:¥3.842
10:¥2.5312
100:¥1.5707
500:¥1.4125
3,000:¥0.88366
9,000:查看
参考库存:7563
分立半导体
SCR 100V 25A
1:¥14.9047
10:¥11.9893
100:¥9.605
500:¥8.4524
参考库存:5035
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
1:¥1.1526
10:¥0.99101
100:¥0.35369
1,000:¥0.23843
3,000:¥0.17628
参考库存:22377
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