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分立半导体
TJ60S06M3L(T6L1,NQ参考图片

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TJ60S06M3L(T6L1,NQ

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112
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数量单价合计
1
¥17.8314
17.8314
10
¥14.3736
143.736
100
¥12.9046
1290.46
500
¥10.0683
5034.15
2,000
¥7.7631
15526.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
11.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
156 nC
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
100 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
TJ60S06M3L
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
5.5 mm
商标
Toshiba
下降时间
250 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
100 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
970 ns
典型接通延迟时间
127 ns
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格，TJ60S06M3L(T6L1,NQ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MBR3060PTHC0
Taiwan Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30A,60V,DUAL SCHOTTKY RECTIFIER
900:¥9.831
1,800:¥7.7631
2,700:¥7.1981
5,400:¥6.8591
参考库存:26812
TSS70U RG
Taiwan Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky 150mW
20,000:¥0.41471
24,000:¥0.39211
48,000:¥0.34578
参考库存:26815
TS25P01G C2
Taiwan Semiconductor
分立半导体
桥式整流器 25 Amp 50 Volt 300 Amp IFSM
1,200:¥6.0229
3,600:¥5.2432
6,000:¥5.0511
10,800:¥4.859
参考库存:26818
1N5930B TR
Central Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener Diode
10,000:¥0.88366
参考库存:26821
HERF1604GHC0
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 16A,300V, G.P. HIGH EFFICIENT DUAL RECTIFIER, ISOLATED
2,000:¥3.4239
4,000:¥3.3448
10,000:¥3.0623
24,000:¥2.9493
参考库存:26824
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