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分立半导体
TMBT3906,LM参考图片

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TMBT3906,LM

  • Toshiba
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor for Low Freq. Amplification
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数量单价合计
1
¥1.4577
1.4577
10
¥1.1865
11.865
100
¥0.42262
42.262
1,000
¥0.29154
291.54
3,000
¥0.2147
644.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 50 V
集电极—基极电压 VCBO
- 50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 400 mV
最大直流电集电极电流
- 150 mA
增益带宽产品fT
250 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
TMBT3906
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Toshiba
Pd-功率耗散
1 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AFT09S282NR3
NXP / Freescale
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 900MHZ 80W OM780-2
250:¥905.4803
参考库存:24682
A2T21S160-12SR3
NXP / Freescale
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250:¥687.944
参考库存:24685
BYT42M-TAP
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25,000:¥0.89948
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DDTB133HU-7-F
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3,000:¥0.36838
9,000:¥0.31527
24,000:¥0.29945
45,000:¥0.27685
参考库存:24694
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