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分立半导体
TJ40S04M3L(T6L1,NQ参考图片

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TJ40S04M3L(T6L1,NQ

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch MOS -40A -40V 68W 4140pF 0.0091
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数量单价合计
1
¥12.3735
12.3735
10
¥9.9101
99.101
100
¥7.6049
760.49
500
¥6.7574
3378.7
2,000
¥4.7686
9537.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
9.1 mOhms
Pd-功率耗散
68 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
TJ40S04M3L
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
5.5 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格，TJ40S04M3L(T6L1,NQ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ZDT6790TA
Diodes Incorporated
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN/PNP HighG 40V
1:¥8.6106
10:¥7.3563
100:¥5.65
500:¥4.9946
1,000:¥3.9437
参考库存:4311
BSZ097N04LSGATMA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
1:¥6.5314
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
5,000:¥2.3843
参考库存:39978
FMBM5551
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SSOT6 NPN General Purpose Amplifier
1:¥3.5369
10:¥2.6555
100:¥1.4351
1,000:¥1.07576
3,000:¥0.92999
参考库存:12016
STL12P6F6
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET P-CH 60V 0.13Ohm 3A STripFET VI
1:¥8.5315
10:¥7.3111
100:¥5.6274
500:¥4.972
3,000:¥3.4804
9,000:查看
参考库存:9486
PZTA92T1G
ON Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 300V PNP
1:¥3.1527
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
2,000:¥0.66105
参考库存:15004
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