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分立半导体
TK4R3A06PL,S4X参考图片

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TK4R3A06PL,S4X

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 60V 3280pF 48.2nC 68A 36W
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库存:2,386(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥15.2889
15.2889
10
¥12.2944
122.944
100
¥9.831
983.1
500
¥8.6106
4305.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
68 A
Rds On-漏源导通电阻
3.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
48.2 nC
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
36 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
高度
15 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Toshiba
下降时间
18 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
55 ns
典型接通延迟时间
24 ns
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,TK4R3A06PL,S4X的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
1:¥2.3052
10:¥1.5933
100:¥0.66896
1,000:¥0.45313
3,000:¥0.35369
参考库存:44653
分立半导体
稳压二极管 10 Volt 0.2 Watt 2% AUTO
1:¥2.2261
10:¥1.5029
100:¥0.73789
500:¥0.63054
3,000:¥0.37629
6,000:查看
参考库存:16111
分立半导体
MOSFET N-channel 100 V 38 mo FET
1:¥5.6839
10:¥4.7686
100:¥3.0736
1,000:¥2.4634
1,500:¥2.4634
参考库存:15084
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 BISS LDSWITCH TAPE-7
1:¥2.7685
10:¥1.9549
100:¥0.90626
1,000:¥0.69156
3,000:¥0.59212
参考库存:5629
分立半导体
MOSFET T6 60V LL S08FL DS
1:¥8.2942
10:¥7.0399
100:¥5.4127
500:¥4.7799
1,000:¥3.7742
1,500:¥3.7742
参考库存:5579
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