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分立半导体
SI4204DY-T1-GE3参考图片

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SI4204DY-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 20V Vds 20V Vgs SO-8
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库存:21,999(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14.5996
14.5996
10
¥12.1362
121.362
100
¥9.379
937.9
500
¥8.2264
4113.2
1,000
¥6.8026
6802.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
19.8 A
Rds On-漏源导通电阻
4.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
30 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.25 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
系列
SI4
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
3.9 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
50 S
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
8 ns
零件号别名
SI4204DY-GE3
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格,SI4204DY-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 350mW Low Level Zen 5.89V to 6.51V 45mA
9,000:¥0.91417
24,000:¥0.83733
45,000:¥0.80682
99,000:¥0.77631
参考库存:19703
分立半导体
稳压二极管 .25W 5% Lw Noise/Lvl
2,500:¥2.4973
10,000:¥2.4069
25,000:¥2.3052
参考库存:23845
分立半导体
桥式整流器 200 V - 15 A
1,000:¥15.9104
2,500:¥15.142
5,000:¥14.2154
参考库存:23848
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SiC POWER SCHOTTKY 5A 1200V
5,040:¥23.2102
参考库存:23851
分立半导体
JFET N-Ch JFET 40Vgd 40Vgs 40Vds 350mW
1:¥7.6049
10:¥6.2602
100:¥5.2093
500:¥4.0228
3,000:¥3.2205
9,000:查看
参考库存:31714
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