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分立半导体
TK3R1E04PL,S1X参考图片

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TK3R1E04PL,S1X

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 40V 4670pF 63.4nC 128A 87W
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库存:2,132(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥13.447
13.447
10
¥10.8367
108.367
100
¥8.6784
867.84
500
¥7.5597
3779.85
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
128 A
Rds On-漏源导通电阻
2.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
63.4 nC
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
87 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
高度
15.1 mm
长度
10.16 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.45 mm
商标
Toshiba
下降时间
27 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
83 ns
典型接通延迟时间
28 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,TK3R1E04PL,S1X的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET TRENCH_MOSFETS
1:¥7.2207
10:¥6.1133
100:¥4.6895
500:¥4.1471
1,000:¥3.277
2,000:¥3.277
参考库存:3721
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Medium Power
1:¥3.2996
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
3,000:¥0.89948
9,000:¥0.83733
参考库存:21439
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1006-3 T&R 3K
1:¥2.9154
10:¥2.0001
100:¥0.83733
1,000:¥0.56839
3,000:¥0.44522
参考库存:10102
分立半导体
MOSFET N-Chnl 100V
1:¥3.3787
10:¥2.3956
100:¥1.10627
1,000:¥0.84524
3,000:¥0.72207
参考库存:52100
分立半导体
稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT TAPE-7
1:¥2.7685
10:¥1.808
100:¥0.78422
1,000:¥0.5989
3,000:¥0.45313
参考库存:6719
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