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分立半导体
SSM3K59CTB,L3F参考图片

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SSM3K59CTB,L3F

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET Small-signal MOSFET ID: 2A, VDSS: 40V
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数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.3504
23.504
100
¥1.3108
131.08
1,000
¥0.9605
960.5
10,000
¥0.77631
7763.1
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
CST3B-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
2 A
Rds On-漏源导通电阻
250 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
1.8 V
Qg-栅极电荷
1.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1000 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.48 mm
长度
1.2 mm
系列
SSM3K59
宽度
0.8 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
8 ns
典型接通延迟时间
13 ns
商品其它信息
优势价格，SSM3K59CTB,L3F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZT52B2V7S RRG
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener 410mW 2% 2v7
1:¥2.0792
10:¥1.8419
100:¥1.04525
1,000:¥0.3842
3,000:¥0.33787
参考库存:25441
BZT55C18 L1G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener 500mW 5% 18v
1:¥1.8419
10:¥1.5368
100:¥1.02943
1,000:¥0.34578
2,500:¥0.28476
参考库存:25444
CZRA4740-G
Comchip Technology
分立半导体
稳压二极管 1.0W, VR=10V
1:¥4.3053
10:¥2.825
100:¥1.7289
1,000:¥1.1526
2,000:¥0.99101
参考库存:25447
MTZJ4V7SA R0G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 zener 500mW 4V7
1:¥1.695
10:¥1.4577
100:¥0.9379
1,000:¥0.31527
10,000:¥0.20792
20,000:查看
参考库存:13309
BZX585B3V3 RSG
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener 200mW 3v3
1:¥2.0792
10:¥1.921
100:¥1.05316
1,000:¥0.3842
8,000:¥0.25312
24,000:查看
参考库存:25452
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