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分立半导体
TK31V60X,LQ参考图片

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TK31V60X,LQ

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET DTMOSIV-High Speed 600V 88mVGS=10V)
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库存:1,180(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥37.4934
37.4934
10
¥30.1258
301.258
100
¥27.5042
2750.42
250
¥24.8148
6203.7
2,500
¥17.8314
44578.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN8x8-5
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
30.8 A
Rds On-漏源导通电阻
78 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
65 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
240 W
配置
Triple
通道模式
Enhancement
商标名
DTMOSIV
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.85 mm
长度
8 mm
系列
TK31V60X
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
8 mm
商标
Toshiba
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
22 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
130 ns
典型接通延迟时间
55 ns
单位重量
37.400 mg
商品其它信息
优势价格,TK31V60X,LQ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
PIN 二极管 Silicon PIN Diode 30V 100mA
1:¥2.9945
10:¥2.0792
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.63054
参考库存:12064
分立半导体
MOSFET 400V Dual N-Ch QFET
1:¥7.8422
10:¥6.6331
100:¥5.0963
500:¥4.4974
3,000:¥3.1527
9,000:查看
参考库存:6547
分立半导体
MOSFET N-Ch, 900V-1.1ohms Zener SuperMESH 8A
1:¥29.7416
10:¥25.2781
100:¥21.8994
250:¥20.8259
参考库存:1655
分立半导体
MOSFET <=30V N CH TRENCHFET
1:¥8.8366
10:¥7.5258
100:¥5.7856
500:¥5.1189
1,000:¥4.0341
1,500:¥4.0341
参考库存:3598
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 H-Series 600V 12A Super-Low Qrr
1:¥24.2046
10:¥21.5943
25:¥19.436
50:¥18.5207
参考库存:43086
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