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分立半导体
TK31V60X,LQ参考图片

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TK31V60X,LQ

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET DTMOSIV-High Speed 600V 88mVGS=10V)
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库存：1,180(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥37.4934
37.4934
10
¥30.1258
301.258
100
¥27.5042
2750.42
250
¥24.8148
6203.7
2,500
¥17.8314
44578.5
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN8x8-5
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
30.8 A
Rds On-漏源导通电阻
78 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
65 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
240 W
配置
Triple
通道模式
Enhancement
商标名
DTMOSIV
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.85 mm
长度
8 mm
系列
TK31V60X
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
8 mm
商标
Toshiba
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
22 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
130 ns
典型接通延迟时间
55 ns
单位重量
37.400 mg
商品其它信息
优势价格，TK31V60X,LQ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
S1JFS MWG
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器
28,000:¥0.43844
49,000:¥0.39211
98,000:¥0.3616
参考库存:16774
HS2BAHF2
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 1.5A,100V, GP HIGH EFFICIENT SMA RECTIFIER
15,000:¥0.71416
参考库存:16777
HS1KHF2G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 1A,800V, GP HIGH EFFICIENT SMD RECTIFIER
15,000:¥0.69947
22,500:¥0.63054
45,000:¥0.56048
97,500:¥0.52206
参考库存:16780
SFAF2008GHC0
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 20A, 600V, 35NS, SINGLE RECTIFIER ISOLATED
2,000:¥4.5991
参考库存:16783
ES2HA F2G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 2A, 500V, SUPER FAST SM SMA RECTIFIER
15,000:¥0.78422
参考库存:16786
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