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分立半导体
CSD17310Q5A参考图片

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CSD17310Q5A

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
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库存:11,055(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.9156
6.9156
10
¥5.9212
59.212
100
¥4.5539
455.39
500
¥4.0228
2011.4
2,500
¥2.8137
7034.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSONP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
5.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
900 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
8.9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
系列
CSD17310Q5A
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.9 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
85 S
开发套件
TPS40007EVM-001, TPS51220EVM
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11.6 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
6.5 ns
商品其它信息
优势价格,CSD17310Q5A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
1,500:¥5.0059
9,000:¥4.8251
参考库存:33822
分立半导体
桥式整流器 1.5 Amp 800 Volt
1:¥5.0737
10:¥4.0906
100:¥3.1075
500:¥2.5651
参考库存:33825
分立半导体
SCR Thyristors - E-PUK
12:¥863.2183
36:¥834.4033
60:¥822.9564
108:¥777.0106
参考库存:33828
分立半导体
SCR Thyristors - TO-118 COMP RND-e3
6:¥1,203.4726
12:¥1,173.5728
30:¥1,157.1313
参考库存:33831
分立半导体
MOSFET 40V N-Ch Enhance Mode
3,000:¥2.9832
参考库存:33834
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