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分立半导体
CSD17578Q3A参考图片

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CSD17578Q3A

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET CSD17578Q3A 30 V 8-VSONP
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库存：38,146(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.7686
4.7686
10
¥3.9211
39.211
100
¥2.5312
253.12
1,000
¥2.034
2034
2,500
¥1.8419
4604.75
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSONP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
7.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
17.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
37 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.9 mm
长度
3.15 mm
系列
CSD17578Q3A
晶体管类型
1 N-Channel Power MOSFET
宽度
3 mm
商标
Texas Instruments
开发套件
TPS25740EVM-741, TPS25740AEVM-741, TPS25740BEVM-741
下降时间
1 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns
典型接通延迟时间
2 ns
单位重量
27.400 mg
商品其它信息
优势价格，CSD17578Q3A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N1353
Microsemi
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100:¥214.3045
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10,000:¥1.1413
25,000:¥1.08367
50,000:¥1.05994
参考库存:21698
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1,000:¥1.2091
5,000:¥1.2091
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RJH60D5DPK-00#T0
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50:¥26.2838
参考库存:27649
RJP60D0DPK-00#T0
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分立半导体
IGBT 晶体管 Power Module - Lead Free
1:¥24.3628
10:¥21.7412
25:¥19.5942
50:¥18.6676
参考库存:27652
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