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分立半导体
D3S190N65E-T参考图片

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D3S190N65E-T

  • D3
  • 新批次
  • MOSFET 190 mOhm 650V
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数量单价合计
800
¥7.458
5966.4
2,400
¥6.9495
16678.8
4,800
¥6.6896
32110.08
9,600
¥6.441
61833.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
D3 Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Rds On-漏源导通电阻
190 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
28 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
D3
下降时间
21 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
57 ns
典型接通延迟时间
9 ns
商品其它信息
优势价格，D3S190N65E-T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N3177
Microsemi
分立半导体
整流器 Std Rectifier
100:¥1,059.4654
参考库存:28839
JAN1N4973
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分立半导体
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1:¥78.987
10:¥71.077
25:¥64.7716
100:¥58.4775
参考库存:28842
1N3883
Microsemi
分立半导体
整流器 UFR,FRR
100:¥237.5147
250:¥217.9996
参考库存:28845
JAN1N4466
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
100:¥77.5293
250:¥70.6928
500:¥66.1615
1,000:¥60.7036
参考库存:28848
1N719A
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
491:¥14.4414
500:¥12.9837
1,000:¥10.9158
2,500:¥10.3734
参考库存:28851
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